型號 | 功能描述 | 柵極閾值電壓 | 漏源擊穿電壓 | 漏源導(dǎo)通電阻 | 溫度范圍 | 封裝形式 | 規(guī)格書 |
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CYT06N021 | 先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS和低柵極電荷 | 1.11V~2.5V | 最小60.1V | 11~20mΩ | -40℃~175℃ | TO252 | 暫無文件 |
CYT06N021I | 先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS和低柵極電荷 | 1.11V~2.5V | 最小60.1V | 11~20mΩ | -40℃~175℃ | TO252 | 暫無文件 |